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（圖一：【高頻雷達(dá)物位計(jì)】STALKER PRO II雷達(dá)測速儀）

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一直以來，設(shè)計(jì)中的電磁干擾（EMI）問題十分令人頭疼，尤其是在汽車領(lǐng)域。為了盡可能的減小電磁干擾，設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在設(shè)計(jì)原理圖和繪制布局時(shí)，通過降低高di/dt的環(huán)路面積以及開關(guān)轉(zhuǎn)換速率來減小噪聲源。有時(shí)無論布局和原理圖的設(shè)計(jì)多么謹(jǐn)慎，仍然無法將傳導(dǎo)EMI降低到所需的水平。這是因?yàn)樵肼暡粌H取決于電路寄生參數(shù)，還與電流強(qiáng)度有關(guān)。另外，開關(guān)打開和關(guān)閉的動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生不連續(xù)的電流，這些不連續(xù)電流會(huì)在輸入電容上產(chǎn)生電壓紋波，從而增加EMI。

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蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實(shí)際上，飽和是一個(gè)漸變的過程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點(diǎn)對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。由圖可見，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。

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NB-IoT隨著物聯(lián)網(wǎng)概念的熱度不斷提升曝光率也日漸增加，經(jīng)過2017年“NB-IoT商用元年”的逐漸發(fā)展完善，如今已成為一種非常成熟產(chǎn)品。那么NB-IoT究竟是何方神圣？他又為何能成為大眾的寵兒？NB-IoT究竟是什么？是“特別牛的物聯(lián)網(wǎng)”（NiubilityInternetofThing）的縮寫嗎？雖然他確實(shí)很牛，實(shí)際上并非是這樣簡單粗暴的縮寫單詞。NB-IoT是指窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NarrowBand-InternetofThings)技術(shù)，是IoT領(lǐng)域一個(gè)新興的技術(shù)，支持低功耗設(shè)備在廣域網(wǎng)的蜂窩數(shù)據(jù)連接，也被叫作低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)。