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潤(rùn)聯(lián)
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河北省 邢臺(tái)市
更新時(shí)間
2019-03-28 10:30:02
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E600系列產(chǎn)品,全光路輻射防護(hù);全自動(dòng)模塊化控制;人性化操作界面;綜合應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法、基本參數(shù)法等多種經(jīng)典分析方法, 可完全滿足RoHS/WEEE相關(guān)管控要求。精心設(shè)計(jì)的性工作曲線功能,根據(jù)企業(yè)物料情況量身定做,從而得到為準(zhǔn)確、可靠的分析測(cè)試結(jié)果,特別適用于多材料的工廠制程控制。列儀器完全符合國(guó)際電工委員會(huì)IEC62321標(biāo)準(zhǔn)及環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)要求和技術(shù)規(guī)范。•自選式功能組合 用戶根據(jù)自己的控制要求,可選擇多元素測(cè)試軟件或膜厚測(cè)試軟件(二選一)•全自動(dòng)配置 全自動(dòng)化的操作模式、人性化的操作界面,測(cè)試人員通過(guò)鼠標(biāo)即可完成全程操作(原級(jí)濾光片、準(zhǔn)直器、樣品的移動(dòng)和樣品蓋的開關(guān)、工作曲線的選擇全部實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制,程序會(huì)根據(jù)預(yù)先設(shè)定的測(cè)試條件自動(dòng)進(jìn)行所有的切換動(dòng)作);•照射區(qū)控制系統(tǒng) 可調(diào)整的X光照射區(qū)域控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了對(duì)測(cè)試區(qū)域的準(zhǔn)確把握。從根本上保證測(cè)試數(shù)據(jù)與實(shí)際檢測(cè)區(qū)域的對(duì)應(yīng)。•成熟、經(jīng)典的分析方法: 憑借“七·五”“九·五”科技攻關(guān)計(jì)劃之科技成果,集成近二十五年分析測(cè)試應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)的經(jīng)典數(shù)學(xué)分析模型,為測(cè)試者提供可靠、、穩(wěn)定的分析結(jié)果。•強(qiáng)大的軟件功能 1、分析軟件可根據(jù)樣品材質(zhì)、形狀、大小的不同自動(dòng)設(shè)定光管功率,既能延長(zhǎng)光管使用壽命又能充分發(fā)揮探測(cè)器性能,大幅提高測(cè)量精度; 2、提供式工作曲線技術(shù)平臺(tái),可為每家用戶量身定做佳的有害物質(zhì)檢測(cè)和控制方案; 3、融合了一系列的光譜處理方法,包括FFT(快速傅立葉變換濾波)、的背景扣除方法、微商自動(dòng)尋峰和Quasi-Newton(準(zhǔn)牛頓)優(yōu)化算法等; 4、國(guó)際的XRF分析軟件,融合了包括經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法、基本參數(shù)法(FP法)、理論α系數(shù)法等多種經(jīng)典分析方法,全面保證測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。•性工作曲線 用戶可很方便的根據(jù)自身材質(zhì)狀況,針對(duì)性的建立風(fēng)險(xiǎn)材料的工作曲線,全面提高工作曲線與被測(cè)材料的對(duì)應(yīng)性。從而大幅度提升風(fēng)險(xiǎn)物質(zhì)的檢測(cè)精度,全面提升來(lái)料允收判定依據(jù)的可靠性。•嚴(yán)謹(jǐn)?shù)挠布膳c結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 對(duì)可能影響整機(jī)度及穩(wěn)定性的核心器件,全部采用進(jìn)口高端原廠器件。 模塊化設(shè)計(jì)與組件選擇,確保了整機(jī)性能的穩(wěn)定性與未來(lái)服務(wù)的操作簡(jiǎn)便性。 特別設(shè)計(jì)的原級(jí)、二次濾光系統(tǒng),既保證了對(duì)有害元素的激發(fā)效率,同時(shí)全面降低了作為干擾因素的背景強(qiáng)度,充分提高峰背比,大幅度降低檢出下限。•全光路射線防護(hù)系統(tǒng) X光管、探測(cè)器、復(fù)合濾光處理系統(tǒng)、CCD、定位系統(tǒng)、全自動(dòng)準(zhǔn)直器切換系統(tǒng)等光路處理器件均集成在密閉結(jié)構(gòu)中。確保光路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與密閉性,充分保證了測(cè)試安全。 合理的8種復(fù)合濾光片組合和自動(dòng)切換系統(tǒng),既可以降低來(lái)自原級(jí)X射線干擾的影響,提高被測(cè)元素的靈敏度和測(cè)試精度,同時(shí)還具有輻射自動(dòng)防護(hù)功能,有效保護(hù)操作者安全。 特制高效散熱系統(tǒng),大幅度提供儀器的可靠性。全光路射線防護(hù)設(shè)計(jì),又避免了無(wú)射線區(qū)域的無(wú)謂與保護(hù),進(jìn)一步提高了散熱效率。全面提升了儀器的環(huán)境適應(yīng)性與穩(wěn)定性。 全光路輻射防護(hù)配合經(jīng)典的迷宮式輻射防護(hù)設(shè)計(jì),同時(shí)采用軟、硬件雙重安全連鎖,確保操作人員人身安全。相關(guān)技術(shù)參數(shù):1、儀器尺寸Instrument dimensions730mm*440mm*330mm2、樣品腔尺寸Dimension of sample cavity400mm*400mm*100(h)mm3、重量Weight約30Kg (About 30 Kg)4、工作環(huán)境溫度Working condition temperature溫度 temperature:15-30℃5、工作環(huán)境相對(duì)濕度Working condition relative humidity≤80% (不結(jié)露 No dew)6、可分析元素范圍Analyzable elements rangeS-U7、低檢出限Lowest limit of detectionCd/Cr/Hg/Br≤2ppmPb≤5ppmCl≤60ppm8、測(cè)量時(shí)間Testing time100-400s(軟件自動(dòng)調(diào)整)(Automatic adapted bySoftware)9、佳分辨率Best resolution149&plun;5eV10、輸入電源Input electrical sourceAC 220V&plun;10%,50Hz (建議配置凈化穩(wěn)壓電源)(The purification voltage-stabilizing is proposed)11、額定功率Rated power300W
主要技術(shù)參數(shù)型號(hào)ES730ES760ES790測(cè)試范圍RoHSRoHS/EN71RoHS/EN71/鹵素(CL)探測(cè)范圍Na(11)~U(92)之廣泛范圍內(nèi)的元素含量分析檢出下限一般元素檢出下限為2.0ppm,合金成份5ppmX射線管Ti或Rh或W陽(yáng)極靶,140microBe窗,風(fēng)冷X-Ray發(fā)生器管壓4~50KV(調(diào)整間距:0.1KV,管流0~100μA,調(diào)整間距:0.2μA),大5W穩(wěn)定性8小時(shí)變化量小于0.1%探測(cè)器Si-PIN,電子扇解析度140eV—175eV準(zhǔn)直器2,3,5mm探測(cè)窗Be,12μm系統(tǒng)尺寸標(biāo)準(zhǔn)型:43cmX34cmX20cm加大型:50cmX50cmX38cm系統(tǒng)電源110VAC/60HZ或220VAC/50HZ系統(tǒng)功率50W模數(shù)轉(zhuǎn)換4096通道,連續(xù)逼近,滑行刻度獲取時(shí)間10—240秒選擇配置8微型樣品腔自動(dòng)切換功能,樣品定位相機(jī)操作軟體ElvaX控制套裝軟體,運(yùn)行于Windows98,2000,XPorNT(中/英文)控制專案X---ray輸出,測(cè)試參數(shù)設(shè)定,樣品及濾光片選擇光譜處理自動(dòng)頂點(diǎn)搜索,頂點(diǎn)消除,背景消除,自動(dòng)元素識(shí)別定量分析運(yùn)演算法則基本參數(shù),二次方程式衰減,手動(dòng)光譜對(duì)比
產(chǎn)品特點(diǎn)1.采用國(guó)際的進(jìn)口SDD(SILICONDRIFTDETECTOR)硅漂移探測(cè)器,分辨率更高,大大提高了輕元素的檢出限,標(biāo)準(zhǔn)檢出限較SI-PIN探測(cè)器提高100倍;測(cè)量范圍更寬,基本涵蓋了各種常規(guī)材料元素分析要求;2.配置進(jìn)口數(shù)據(jù)集成處理系統(tǒng),數(shù)據(jù)采集速度更快,測(cè)量更穩(wěn)定,重復(fù)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性更好;3.配置新開發(fā)的測(cè)量軟件,集成多種圖形計(jì)算方法,測(cè)量數(shù)據(jù)更,更穩(wěn)定;4.軟件全面監(jiān)控儀器主要核心部件運(yùn)行狀態(tài),使用更安全;5.配置專門開發(fā)的真空系統(tǒng),真空性能更好,測(cè)試效果更佳;技術(shù)參數(shù):1.元素分析范圍從鈉(Na)到鈾(U)2..元素含量分析范圍為1ppm到99.99%3.低檢出限:1ppm4.測(cè)量時(shí)間:60-200秒(可調(diào))5.儀器工作電源:AC220&plun;5V6.能量分辨率為129&plun;5eV7.X射線光管大輸出電流:1mA8.極限壓力:6.7×10-2Pa9.樣品腔尺寸:610*320*100(mm)(不抽真空)/Φ100*h75(mm)(真空樣品腔)10.多次測(cè)量重復(fù)性(以標(biāo)準(zhǔn)樣品為準(zhǔn)):&plun;0.05%(高含量)/&plun;0.002%(微量)11.長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性(以標(biāo)準(zhǔn)樣品為準(zhǔn))&plun;:0.06%(高含量)/&plun;0.0025%(微量)
技術(shù)特點(diǎn)1.配置新技術(shù)“樣品免拆分”檢測(cè)模式:采用新技術(shù)的光路結(jié)構(gòu),小照射光斑直徑可達(dá)到1mm,輔以的光斑定位系統(tǒng),從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)雜樣品進(jìn)行免拆分直接測(cè)量的要求2.配置符合標(biāo)準(zhǔn)的樣品混測(cè)功能:方形4mmⅩ4mm光斑設(shè)計(jì),配合1mm光斑配合使用,能夠?qū)﹄娐钒宓葟?fù)雜樣品實(shí)現(xiàn)“免拆分”區(qū)域掃描測(cè)量功能;從而顯著節(jié)省測(cè)量時(shí)間,大幅度提高檢測(cè)效率3.配置On-Line實(shí)時(shí)在線技術(shù)支持系統(tǒng)(選配):實(shí)時(shí)解決用戶在使用過(guò)程中的疑難技術(shù)問(wèn)題,同時(shí)對(duì)用戶操作人員進(jìn)行培訓(xùn)4.配置十二組復(fù)合濾光片:NaU1000型配置了12組復(fù)合型濾光片,是業(yè)界配置全、數(shù)目多的配置;12組濾光片的配置,極大的保證了XRF分析儀針對(duì)各種復(fù)雜樣品檢測(cè)的適應(yīng)性5.內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)工作曲線:儀器內(nèi)置了滿足EU-RoHS以及CHINA-RoHS產(chǎn)品要求的基礎(chǔ)材料的工作曲線,方便用戶直接使用;并與的檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室保持一致6.具備的工作曲線技術(shù)平臺(tái):基于的工作曲線技術(shù)平臺(tái),電子企業(yè)可以建立針對(duì)自己工廠特定物料的工作曲線,確保XRF分析儀檢測(cè)結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性7.分析軟件操作系統(tǒng)分級(jí)管理:儀器系統(tǒng)軟件配置了操作員、工程師兩級(jí)操作功能菜單,便于工廠有序管理;操作員菜單簡(jiǎn)單直觀,避免儀器重要參數(shù)的誤修改;工程師菜單功能強(qiáng)大,儀器的各種參數(shù)設(shè)置權(quán)限全部給用戶8.采用經(jīng)典的迷宮式輻射防護(hù)結(jié)構(gòu):采用了經(jīng)典的迷宮式輻射防護(hù)結(jié)構(gòu),在保持儀器外形美觀操作方便的同時(shí),杜絕低能散射X射線的泄露9.可選配技術(shù)“影響權(quán)系數(shù)法”多層鍍層測(cè)厚功能:納優(yōu)科技獨(dú)創(chuàng)的“影響權(quán)系數(shù)法”多層鍍層測(cè)厚技術(shù),顯著提高鍍層厚度測(cè)量的準(zhǔn)確度;大可測(cè)量鍍層數(shù)量為9層;解決了常規(guī)XRF測(cè)厚方法所不能解決的塑料基體鍍層厚度測(cè)量的技術(shù)難題1.外觀設(shè)計(jì)實(shí)用美觀:符合人體工程學(xué)的儀器外形設(shè)計(jì),操作人員測(cè)量過(guò)程方便舒適分析方法及系統(tǒng)軟件分析方法配置:1.基于蒙特卡洛計(jì)算模型的基本參數(shù)法2.經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法3.理論α系數(shù)法軟件功能描述:4.RoHS指令、無(wú)鹵指令等環(huán)保指令所的Pb、Hg、Cd、TCr、TBr、Cl等元素含量的分析5.各種金屬材料、無(wú)機(jī)非金屬材料(不包括聚合物材料)的材質(zhì)分析(S~U元素)6.聚合物等有機(jī)材料中硫(S)~鈾(U)元素的含量分析7.分析報(bào)告的定制與輸出打印8.分析結(jié)果的保存、查詢及統(tǒng)計(jì)9.On-Line實(shí)時(shí)在線技術(shù)支持與技術(shù)服務(wù)功能(選配)10多層鍍層厚度測(cè)量功能(選配)主要配置1.Si-PIN電制冷半導(dǎo)體探測(cè)器2.側(cè)窗鉬(Mo)靶管3.標(biāo)配12組復(fù)合濾光片4.配置了Φ1mm、Φ3mm、Φ4mm四種準(zhǔn)直器5.具備符合標(biāo)準(zhǔn)的樣品混側(cè)功能6.內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)工作曲線7.具備工作曲線技術(shù)平臺(tái)8.分析軟件操作系統(tǒng)分級(jí)管理產(chǎn)品參數(shù)名稱:X熒光光譜儀型號(hào):NaU1000輸入電壓:220&plun;5V/50Hz消耗功率:≤500W環(huán)境溫度:15-30℃環(huán)境濕度:≤80%(不結(jié)露)主機(jī)外形(mm):長(zhǎng)*寬*高=820*500*425樣品倉(cāng)(mm):長(zhǎng)*寬*高=430*380*105主機(jī)重量:約55公斤技術(shù)指標(biāo)元素種類:元素周期表中硫(S)~鈾(U)之間元素測(cè)量時(shí)間: 對(duì)聚合物材料,典型測(cè)量時(shí)間為300秒 對(duì)銅基體材料,典型測(cè)量時(shí)間為600秒檢出限指標(biāo)(LOD):對(duì)聚合物材料:LOD(Pb)≤5mg/Kg;LOD(Hg)≤5mg/Kg;LOD(TCr)≤5mg/Kg;LOD(TBr)≤5mg/Kg;LOD(Cd)≤5mg/Kg對(duì)銅基體材料:LOD(Pb)≤50mg/Kg精密度指標(biāo),以連續(xù)測(cè)量7次的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ表征:對(duì)聚合物(塑膠)材料:LOD(Pb)≤15mg/Kg;LOD(Hg)≤15mg/Kg;LOD(TCr)≤15mg/Kg;LO(TBr)≤15mg/Kg;LOD(Cd)≤7mg/Kg對(duì)銅基體材料:LOD(Pb)≤50mg/Kg準(zhǔn)確度指標(biāo),以系統(tǒng)偏差δ進(jìn)行表征對(duì)聚合物材料:δ(Pb)≤100mg/Kg;δ(Hg)≤100mg/Kg;δ(TBr)≤100mg/Kg;δ(TCr)≤100mg/Kg;δ(Cd)≤10mg/Kg對(duì)銅基體材料:δ(Pb)≤150mg/Kg