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變頻介質(zhì)損耗測試儀特點

價格
電議

型號
DS

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暫無

更新時間
2019-03-11 11:55:01

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    變頻介質(zhì)損耗測試儀特點
    變頻介質(zhì)損耗測試儀特點 1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長時日照) 2、相對濕度:30% ~ 70% 3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 4、外形尺寸:長×寬×高 500mm×300mm×400mm


    變頻介質(zhì)損耗測試儀特點
    變頻介質(zhì)損耗測試儀特點 1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長時日照) 2、相對濕度:30% ~ 70% 3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 4、外形尺寸:長×寬×高 500mm×300mm×400mm
    變頻介質(zhì)損耗測試儀特點

    介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗,(tgδ)和電容容量(Cx)它淘汰了 QS 高壓電橋,具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測試時間(在國內(nèi)同類產(chǎn)品中速度快)等特點。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測試儀。 
    介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo)
          1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長時日照)         
          2、相對濕度:30% ~ 70% 
          3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
          4、外形尺寸:長×寬×高   500mm×300mm×400mm 
          5、重量:    約18Kg           
          6、輸出功率:0.6KVA 
          7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
          8、測量范圍及輸出電壓選擇: 
                     介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
                     試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
                     2.5KV檔:≤300nF(300000pF)            3KV檔:≤200nF(200000pF) 
                     5KV檔:≤76nF(76000pF)                7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
                     10KV檔:≤20nF(20000pF) 
          9、基本測量誤差: 
                     介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個字(加載電流20uA~500mA) 
                     介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個字(加載電流5uA~20uA) 
                     電容容量(Cx):1.5%±1.5pF
     變頻介質(zhì)損耗測試儀特點

    介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗,(tgδ)和電容容量(Cx)它淘汰了 QS 高壓電橋,具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測試時間(在國內(nèi)同類產(chǎn)品中速度快)等特點。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測試儀。 
    介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo)
          1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長時日照)         
          2、相對濕度:30% ~ 70% 
          3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
          4、外形尺寸:長×寬×高   500mm×300mm×400mm 
          5、重量:    約18Kg           
          6、輸出功率:0.6KVA 
          7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
          8、測量范圍及輸出電壓選擇: 
                     介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
                     試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
                     2.5KV檔:≤300nF(300000pF)            3KV檔:≤200nF(200000pF) 
                     5KV檔:≤76nF(76000pF)                7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
                     10KV檔:≤20nF(20000pF) 
          9、基本測量誤差: 
                     介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個字(加載電流20uA~500mA) 
                     介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個字(加載電流5uA~20uA) 
                     電容容量(Cx):1.5%±1.5pF
     






















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