國內(nèi)首臺(tái)大功率IGBT全參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

我公司科研人員經(jīng)過連續(xù)技術(shù)攻關(guān), 在原有高端半導(dǎo)體分立器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)基礎(chǔ)上, 自行研發(fā)出國內(nèi)首臺(tái)igbt測(cè)試儀，圓滿解決了功率IGBT等半導(dǎo)體器件的全參數(shù)測(cè)試難題,填補(bǔ)了國內(nèi)在半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試領(lǐng)域的空白，該項(xiàng)產(chǎn)品綜合技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際水平。

目前我公司提供的IGBT測(cè)試儀采用模塊式功放結(jié)構(gòu), 主極電流400A/500A/1000A/1250A可選, 2500A/5000A選項(xiàng)可以根據(jù)用戶需要定制。

IGBT測(cè)試儀可測(cè)IGBT參數(shù)包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,rCE等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度, 達(dá)到目前國外進(jìn)口同類產(chǎn)品水平。

 

 絕緣柵晶體管、IGBT測(cè)試參數(shù)及精度

電參數(shù)名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
ICES    IGESF IGESR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2）	100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A	1nA(50pA)（1）	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1）
BVCES	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA    -100mA           -50mA	5mV	1%＋100mV
VGETH	0.10V- 20.0V(80V)（2）	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合參數(shù))	VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V	IC: 10μA-1250A        - 1250A IGE、IF:   100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA

 

（1）    需要小電流臺(tái)選件

（2）    需要柵極80V選件

 

IGBT測(cè)試儀可針對(duì)目前封裝的多單元IGBT特征, 根據(jù)用戶需要提供4/ 8/ 20單元掃描測(cè)試適配器, 從而實(shí)現(xiàn)多單元封裝器件的一次性全參數(shù)測(cè)試.與進(jìn)口測(cè)試系統(tǒng)相比, 該產(chǎn)品可同時(shí)對(duì)各種功率的其它10-18多類半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行全參數(shù)測(cè)試, 具有更高的使用效率。與國外同類產(chǎn)品相比, 該產(chǎn)品具有更高的性能價(jià)格比和國外廠家不能做到的售后服務(wù)。