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主要特性與技術指標
測量具有高壓偏置的晶體管輸入、輸出和反向轉(zhuǎn)移電容（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）
測量獨立端接電容（Cgs、Cgd、Cds、Cge、Cgc、Cce）
測量常開型器件的電容，例如 SiC JFET 或 GaN FET
測量內(nèi)置柵極電阻（Rg）
當柵極電壓從負電壓切換為正電壓時，可以連續(xù)測量電容
輕松切換泄漏測試和電容測量
工作電壓偏置高達 +/-3 kV
簡單易用、全自動測量
B1507A 能夠識別在實際電路工作電壓偏置條件下的不合格器件（偏置高達 3 kV），提供電容測量功能和泄漏測試功能，是彌補傳統(tǒng) IV 測試設備（例如曲線追蹤儀）性能不足的*解決方案。
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