SIMATIC DP， ET 200 PRO 的電子模塊 4 AI I High Feature， +-20mA；0...20mA;4-20mA； 通道診斷; 包括總線模塊， 接口模塊 IO 6ES7194-4..00-0AA0 單獨(dú)訂貨

電源電壓

額定值 (DC)

24 V

反極性保護(hù)

是; 防止損毀

輸入電流

來自電源電壓 1L+，*值

40 mA; 典型值

來自背板總線 DC 3.3 V，*值

12 mA; 典型值

傳感器供電

輸出端數(shù)量

4

短路保護(hù)

是; 每個(gè)模塊，電子相對(duì)質(zhì)量

輸出電流

*可達(dá) 55 ℃，*值

1 A

功率損失

功率損失，典型值

1.1 W

地址范圍

每個(gè)模塊的地址空間

每個(gè)模塊的地址空間，*值

8 byte

模擬輸入

模擬輸入端數(shù)量

4

電流輸入允許的輸入電流（毀壞限制），*值

40 mA

循環(huán)時(shí)間（所有通道），*值

10 ms

輸入范圍（額定值），電流

0 至 20 mA

是

— 輸入電阻（0 至 20 mA）

50 ?

-20 mA 至 +20 mA

是

— 輸入電阻（-20 mA 至 +20 mA）

50 ?

4 mA 至 20 mA

是

— 輸入電阻（4 mA 至 20 mA）

50 ?

導(dǎo)線長(zhǎng)度

屏蔽，*值

30 m

輸入端的模擬值構(gòu)成

測(cè)量原理

集成

集成和轉(zhuǎn)換時(shí)間/每通道分辨率

帶有過調(diào)制的分辨率（包括符號(hào)在內(nèi)的位數(shù)），*值

15 bit; ±10 V 時(shí)、±5 V 時(shí) 15 位 + VZ，；0 V 到 10 V 時(shí)、1 V 到 5 V 時(shí) 15 位

積分時(shí)間 (ms)

0,3 / 16,7 / 20 / 60

對(duì)于干擾頻率 f1（單位 Hz）的干擾電壓抑制

16,67 / 50 / 60 / 3600

轉(zhuǎn)換時(shí)間（每個(gè)通道）

1.1 ms

測(cè)量值濾波

可參數(shù)化

是

等級(jí)： 無

是; 1x 循環(huán)時(shí)間

等級(jí)：弱

是; 4x 循環(huán)時(shí)間

等級(jí)： 中等

是; 16x 循環(huán)時(shí)間

等級(jí)： 強(qiáng)

是; 64x 循環(huán)時(shí)間

傳感器

信號(hào)傳感器連接

對(duì)于作為兩線制測(cè)量變送器時(shí)的電流測(cè)量

是

對(duì)于作為四線制測(cè)量變送器時(shí)的電流測(cè)量

是

誤差/精度

線性錯(cuò)誤（與輸入范圍有關(guān)），(+/-)

0.0075 %

溫度錯(cuò)誤（與輸入范圍有關(guān)），(+/-)

0.00075 %/K

輸入端之間的串?dāng)_，*小值

-70 dB

25 °C 時(shí)起振狀態(tài)下的重復(fù)精度（與輸入范圍有關(guān)），(+/-)

0.004 %

整個(gè)溫度范圍內(nèi)的操作錯(cuò)誤限制

電流，與輸入范圍有關(guān)，(+/-)

0.1 %

基本錯(cuò)誤限制（25 °C 時(shí)的操作錯(cuò)誤限制）

電流，與輸入范圍有關(guān)，(+/-)

0.075 %

故障電壓抑制 f = n x (f1 +/- 0.5 %)，f1 = 干擾頻率

串聯(lián)干擾（干擾峰值 < 輸入范圍的額定值），*小值

60 dB

并聯(lián)干擾 (USS < 2,5 V) , *小值

80 dB; 干擾電壓 < 5 V

報(bào)警/診斷/狀態(tài)信息

診斷功能

是

報(bào)警

診斷報(bào)警

是; 可參數(shù)化

過程報(bào)警

是; （臨界值報(bào)警），通道 0 可參數(shù)化

診斷信息

診斷信息可讀

是

斷線

是; 4 至 20 mA 時(shí)

短路

是; 4 至 20 mA 時(shí)

診斷顯示 LED

累積故障 SF（紅色）

是

電位隔離

模擬輸入電位隔離

在通道之間

否

在通道和背板總線之間

是

絕緣

絕緣測(cè)試，使用

707 V DC（測(cè)試類型）

尺寸

寬度

45 mm

高度

130 mm

深度

35 mm

重量

重量，約

150 g

上一次修改：

2020/5/6