? 美國(guó)SDD電致冷半導(dǎo)體探測(cè)器（硅漂移型高性能電致冷半導(dǎo)體探測(cè)器，是世界上好的半導(dǎo)體探測(cè)器）；

? 佳能量分辨率≤130eV（對(duì)Mn Kα線）；

? 探測(cè)器Be窗厚度:0.5mil(12.5μm)

? 一體化數(shù)字式多道脈沖處理（MCA）系統(tǒng)；大道數(shù)8192道；

? 系統(tǒng)峰背比（P/B）≥5000/1

? 能量響應(yīng)范圍：1KeV～40KeV

? 放大器增益自動(dòng)調(diào)整；

? 脈沖成形時(shí)間自動(dòng)調(diào)整。

? 光管類型：鉬（Mo）靶側(cè)窗X光管；

? 大功率：50W（50KV、1mA）

? 燈絲電壓：約為2.5V；

? 燈絲電流：約為1.7A

? 設(shè)計(jì)使用壽命：大于25000小時(shí)；

? 正極性高壓電源；

? 大功率：50W

? 大管壓：50KV（0～50KV連續(xù)可調(diào)）

? 大管流：2mA（0～2mA連續(xù)可調(diào)）

? 高壓輸出穩(wěn)定度：開機(jī)半小時(shí)后，每8小時(shí)小于0.05%；

? 高壓輸出紋波系數(shù)（P-P值）：小于高輸出電壓的0.1%。