本公司主要經(jīng)營：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年。

6SE7041-2WL84-1BH0不能連接來自防爆區(qū)0的傳感器/執(zhí)行器。但可以直接連接來自防爆區(qū)1的傳感器/執(zhí)行器?？蓴U(kuò)展3個(gè)機(jī)架，IM360插在中央機(jī)架的第三槽，IM361插在擴(kuò)展機(jī)架的*槽，*個(gè)擴(kuò)展機(jī)架的IM361與中央機(jī)架的IM360相連，其余機(jī)架的IM361順序與前一機(jī)架的IM361相連接，機(jī)架之間的*連接長度為10米。擴(kuò)展機(jī)架的電源可通過IM361連接外部24V電源。每個(gè)擴(kuò)展機(jī)架*多可安裝8塊應(yīng)用模板。 要求：使用組態(tài)包FM353V2.1或組態(tài)包FM354V2.1以及STEP7版本V3.1或更高版本。 圖2-6參考電位（Ｍ）接地的結(jié)構(gòu) 注意如果要實(shí)現(xiàn)參考電位接地，則一定不能將接地滑塊從CPU上拆下。

柵極過電壓、過電流防護(hù)

傳統(tǒng)保護(hù)模式：防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件，如下圖的電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放（其阻值可取5kΩ）;兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。在這些應(yīng)用中，IGBT通常是以模塊的形式存在，由IGBT與FWD（續(xù)流芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模半導(dǎo)體產(chǎn)品。使用模塊的優(yōu)點(diǎn)是IGBT已封裝好，安裝非常方便，并且外殼上具有散熱裝置，大功率工作時(shí)散熱快。另外，還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì)，以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等。然而即使這樣，在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中，以上方案仍然具有比較高的產(chǎn)品失效率——有時(shí)甚至?xí)?%。相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系，而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時(shí)間和耐電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足，從而導(dǎo)致IGBT過熱而損壞。

6SE7041-2WL84-1BH0注意事項(xiàng)：請(qǐng)注意緊湊型CPU僅支持有源傳感器(4線制傳感器)。如果使用無源傳感器(2制傳感器)，必須使用外部電源。對(duì)于單向基本通信，使用系統(tǒng)功能SFC67(X_GET)從一個(gè)被動(dòng)站讀取數(shù)據(jù)，使用系統(tǒng)功能SFC68(X_PUT)將數(shù)據(jù)寫入一個(gè)被動(dòng)站(服務(wù)器)。這些塊只有在主動(dòng)站中才調(diào)用。對(duì)于一個(gè)雙向基本通信，調(diào)用站中的系統(tǒng)功能SFC65(X_SEND)，在該站中想將數(shù)據(jù)發(fā)送到另一個(gè)主動(dòng)站。在同樣為主動(dòng)的主動(dòng)接收站中，數(shù)據(jù)將通過系統(tǒng)功能SFC66(X_RCV)記錄。如圖2-9所示操作步驟在相應(yīng)模塊上插入槽號(hào)標(biāo)簽。 現(xiàn)在可以組態(tài)你的DP主站。

目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。瞬雷電子公司利用在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)優(yōu)勢，結(jié)合瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn)，在研究IGBT失效機(jī)理的基礎(chǔ)上，通過整合系統(tǒng)內(nèi)外部來突破設(shè)計(jì)瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)設(shè)計(jì)的解決方案。

在較大輸出功率的場合，比如工業(yè)領(lǐng)域中的、UPS電源、EPS電源，新能源領(lǐng)域中的風(fēng)能發(fā)電、太陽能發(fā)電，新能源汽車領(lǐng)域的充電樁、電動(dòng)控制、車載里，隨處都可以看到IGBT的身影。

　　IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢、負(fù)載突變都會(huì)引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。

F4-150R12KS4
F4-150R12KS4
F4-100R12KS4
F4-100R06KL4
F3L300R07PE4
DZ800S17K3
DZ600N12K
DP15H1200T
DP10H1200T
DM2G400SH6N
DM2G400SH6A
DM2G300SH6N
DM2G300SH12A 使用IGBT的時(shí)候，首先要關(guān)注原廠提供的數(shù)據(jù)、應(yīng)用手冊(cè)。在數(shù)據(jù)手冊(cè)中，尤其要關(guān)注的是IGBT重要參數(shù)，如靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)、短參數(shù)、熱性能參數(shù)。這些參數(shù)會(huì)告知我們IGBT的*值，就是*不能越的。設(shè)計(jì)完之后，在工作時(shí) IGBT的參數(shù)也是同樣需要保證在合理數(shù)據(jù)范圍之內(nèi)。
DM2G200SH6N
DM2G150SH12A
DM2G100SH6N
DIM800NSM33-F076
DIM800NSM33-F011
DF300R12KE3
DDB6U84N16RR
DDB6U144N16RR
DDB6U144N16R
DDB6U134N16RR
DDB6U104N16RR

6SE7041-2WL84-1BH0或者可以這樣做：打開一個(gè)新的項(xiàng)目，創(chuàng)建一個(gè)新的硬件組態(tài)。在CPU的MPI接口的屬性中為地址和傳送速度設(shè)置各自的值。將"空"項(xiàng)目寫入存儲(chǔ)卡中。把該存儲(chǔ)卡插入到CPU然后重新打開CPU的電壓，將位于存儲(chǔ)卡上的設(shè)置傳送到CPU。現(xiàn)在已經(jīng)傳送了MPI接口的當(dāng)前設(shè)置，并且像這樣的話，只要接口沒有故障就可以建立連接。這個(gè)方法適用于所有具有存儲(chǔ)卡接口的S7-CPU。56：將*個(gè)FM352-5的輸出與第二個(gè)FM352-5的輸入直接相連時(shí)，有哪些注意事項(xiàng)？

IGBT 的柵極－發(fā)射極驅(qū)動(dòng)電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會(huì)損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極－發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會(huì)使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會(huì)損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。

在新能源汽車中，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對(duì)于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對(duì) IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng)：
—— 在需要用手接觸 IGBT 前 , 應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進(jìn)行操作 , 并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動(dòng)端子部分 , 必須接觸時(shí)要保證此時(shí)人體上所帶的靜電已全部放掉 ;
—— 在焊接作業(yè)時(shí) , 為了防止靜電可能損壞 IGBT, 焊機(jī)一定要可靠地接地。

A5E01283291原裝
A5E01283282-001驅(qū)動(dòng)板
6SE7041-2WL84-1JC0觸發(fā)板
6SE7041-2WL84-1JC1驅(qū)動(dòng)板
電阻模塊A5E00281090
A5E00682888
A5E00194776
6SE7038-6GK84-1JC2驅(qū)動(dòng)板
6SL3162-1AH00-0AA0
A5E01540278排線連接線
A5E01540284連接線
A5E00281090電阻模塊
CUR板C98043-A1680-L1
控制板6SE7090-0XX85-1DA0
6SL3040-1MA00-0AA0控制單元
6SE7033-7EG84-1JF0板驅(qū)動(dòng)板
6SE7035-1EJ84-1JC0驅(qū)動(dòng)板
6SE7090-0XX84-6AD5控制板
6SY7000-0AC07
霍爾傳感器ES2000-9725

6SE7041-2WL84-1BH046：用S7-300模擬量輸入模塊測量溫度（華氏）時(shí)，可以使用模塊說明文檔中列出的*誤差極限嗎？??SM322-1HF01繼電器模塊需要17V和8mA才能確保開閉正常。對(duì)于觸點(diǎn)的壽命來說，這樣的值比手冊(cè)上提供的這個(gè)模塊的值(10V和5mA)更好。手冊(cè)的規(guī)定值應(yīng)該認(rèn)為是*低要求值。 還存在一個(gè)選項(xiàng)，可把一個(gè)與主站不在同一個(gè)項(xiàng)目里的S7CPU組態(tài)為從站。設(shè)置步驟請(qǐng)參考《S7-200可編程控制器系統(tǒng)手冊(cè)》第4章PLC的基本概念->S7-200的特性->S7-200允許您設(shè)置停止模式下的數(shù)字量輸出狀態(tài)（2）NPN/PNP輸出的傳感器，能否接到S7-200CPU上？ （3）S7-200能否使用兩線制的數(shù)字量（開關(guān)量）傳感器 91：如何用CP342-5組態(tài)PROFIBUS主站？ 1.在STEP7的SIMATICManager窗口中在插入一個(gè)S7300站； 2.重復(fù)以上組態(tài)從站步驟的2-4步，注意插入CP342-5時(shí)，不能點(diǎn)擊”new…”按鈕，而直接用鼠標(biāo)選中以上創(chuàng)建的PROFIBUS(1)網(wǎng)絡(luò)，點(diǎn)擊OK； 在"OperatingMode"標(biāo)簽頁中選擇"DPMaster"選項(xiàng)； 92：采用CP342-5的DP通訊口與采用CPU集成的DP通訊口進(jìn)行通訊有什么不同，這兩種通訊口功能有什么不同？ 可以通過CPU集成的DP通訊口或CP443-5模板的DP通訊口，調(diào)用Load/Transfer指令（語句表編程，如圖2）、Mov指令（梯形圖編程）或系統(tǒng)功能塊SFC14/15訪問從站上的I/O數(shù)據(jù)； 如果您使用342-5模塊的DP通訊口進(jìn)行通訊，那么您就不能使用Load/Transfer指令（語句表編程）、Mov指令（梯形圖編程）直接訪問PROFIBUS從站的I/O數(shù)據(jù)。

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