庫號：D383945

實驗內容：

觀察會聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，

比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；

觀察測量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；

理解Pockels效應的工作機理，測量半波電壓，確定△n與E的線性關系，繪出調制曲線；

用外加電信號對晶體進行調制，實驗電信號的光傳輸；

理解工作點對調制、傳輸過程的影響。

儀器特點：采用半導體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實驗操作靈活、簡單；可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程，干涉圖樣完整、清晰。

儀器參數(shù)：

光學實驗導軌800mm，半導體激光器650nm 4mW；激光功率計數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調檔；晶體的通光面積為5*5mm；大驅動電壓Vmax≥1600V。

實驗內容：

觀察會聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，

比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；

觀察測量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；

理解Pockels效應的工作機理，測量半波電壓，確定△n與E的線性關系，繪出調制曲線；

用外加電信號對晶體進行調制，實驗電信號的光傳輸；

理解工作點對調制、傳輸過程的影響。

儀器特點：采用半導體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實驗操作靈活、簡單；可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程，干涉圖樣完整、清晰。

儀器參數(shù)：

光學實驗導軌800mm，半導體激光器650nm 4mW；激光功率計數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調檔；晶體的通光面積為5*5mm；大驅動電壓Vmax≥1600V。

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