化學(xué)氣相沉積裝置CVD與氣體質(zhì)量流量混合和控制的關(guān)系

CVD裝置需要用到穩(wěn)定的控制氣體的流量進(jìn)氣量，因此氣體質(zhì)量流量控制器的選擇就很關(guān)鍵，需要與整套裝置包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中控制。

在當(dāng)代，微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用*非晶態(tài)材料，因此化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用?；瘜W(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上?；瘜W(xué)氣相沉積是含有薄膜所需要的原子和分子的化學(xué)物質(zhì)在反應(yīng)室內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生反應(yīng)，其原子或分子沉積在晶片表面聚集形成薄膜的過程。

化學(xué)氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、供反應(yīng)氣體系統(tǒng)、反應(yīng)后氣體處理系統(tǒng)。在化學(xué)氣相沉積過程中，為了在晶片表面形成厚度均勻、質(zhì)量較佳的薄膜，必須使得反應(yīng)氣體均勻的到達(dá)晶片表面，CVD裝置供反應(yīng)氣體由原料氣體、氧化劑氣體、還原劑氣體以及將反應(yīng)氣體輸送至反應(yīng)室中的載帶氣體組成。原料氣體可由氣相、液相及固相三種形態(tài)提供。氣體可直接送入反應(yīng)室中。氣體流量控制可使用質(zhì)量流量計或針閥來實現(xiàn)。