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美國(guó)CASCADE-IWATSU ON-WAFER 功率半導(dǎo)體SIC/...

價(jià)格

￥11.00

型號(hào)

CASCADE-IWATSU

品牌

美國(guó)CASCADE

所在地

湖南省長(zhǎng)沙市

更新時(shí)間

2021-10-18 10:39:02

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產(chǎn)品描述

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美國(guó)CASCADE-日本IWATSU ON-WAFER 功率半導(dǎo)體SIC/IGBT 探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

CASCADE-IWATSU Tesla 是業(yè)界*功率器件測(cè)量系統(tǒng)，它提供了一款用于在高達(dá) 400A的電流和 3000V 的電壓條件下進(jìn)行功率半導(dǎo)體的過(guò)熱、低接觸電阻測(cè)量的完整晶圓上解決方案。該新系統(tǒng)采用了兩款*晶圓探針和一種全新的晶圓吸盤(pán)技術(shù)。

Tesla 解決了薄晶圓、功耗以及電流/電壓要求的難題

美國(guó)CASCADE-IWATSU ON-WAFER 功率半導(dǎo)體SIC/IGBT 探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) Tesla: On-Wafer Power Device Characterization System

功率半導(dǎo)體的廣泛使用迫切需要對(duì)功率器件進(jìn)行快速而有效的特性描述。Cascade Microtech 的* Tesla 晶圓上功率器件特性描述系統(tǒng)滿足了這一需求，從而縮短了*功率器件的面市時(shí)間。Tesla 是業(yè)界*功率器件測(cè)量系統(tǒng)，它提供了一款用于在高達(dá) 400A的電流和 3000V 的電壓條件下進(jìn)行功率半導(dǎo)體的過(guò)熱、低接觸電阻測(cè)量的完整晶圓上解決方案。該新系統(tǒng)采用了兩款*晶圓探針和一種全新的晶圓吸盤(pán)技術(shù)。

高電流參數(shù)（HCP）探針專(zhuān)為滿足 Rds(on) 測(cè)量要求而設(shè)計(jì)。的設(shè)計(jì)*限度地抑制了探針至晶圓觸點(diǎn)上的熱失控，并支持高達(dá) 10A（在連續(xù)模式中）和高達(dá) 60A（在脈動(dòng)模式中）的電流。
高電壓參數(shù)（HVP）探針在高達(dá) 3000V 的電壓條件下實(shí)現(xiàn)了漏電流低至 1pA 的擊穿電壓測(cè)量。
Exclusive Vacuchannel? 吸盤(pán)技術(shù)運(yùn)用針對(duì)薄晶圓（薄至 100μm）的*傳送方法滿足了當(dāng)今功率器件晶圓的需要。此外，Vacuchannel 技術(shù)傳送功率耗散器件的方式也不同于市面上現(xiàn)有的其他解決方案，實(shí)現(xiàn)了功耗高達(dá) 75W 的器件的晶圓上測(cè)量。

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